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v 應用領域：RCA清洗，濕法去膠，介質層濕法刻蝕，金屬層濕法刻蝕，爐管前清洗等
v 晶圓尺寸：100mm~300mm
v 設備配置：
? 支持化學液C.C.S.S.、L.C.S.S
? Marangoni dry 或 spin dry
? 自動換酸，自動補液、配液
? 加熱控制，濃度控制，流量控制，壓力控制等
? 槽體過溫保護，各單元配置漏液傳感器
? 支持化學液回收
? 全面支持SECS/GEM通訊協議
v 工藝指標：蝕刻非均勻性片內：≤4%；片間：≤4%；批次間： ≤4%；
v 顆粒控制：增加值<30顆@0.09μm（帶氧化硅膜測試，來料顆粒<50顆）
v 金屬離子：<5E9 atoms/cm2
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