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v 最小線寬≤8nm 光柵周期≤40nm
v 拼接精度：
100μm寫場下，拼接精度≤20nm【mean】+3sigma
500μm寫場下，拼接精度≤30nm【mean】+3sigma
v 套刻精度：
100μm寫場下，拼接精度≤20nm【mean】+3sigma
500μm寫場下，拼接精度≤25nm【mean】+3sigma
v 束電流穩定性＜0.2%/h 束位置穩定性＜120nm/8h
v 50KV加速電壓下，寫場可在0.5μm~500μm的范圍內連續可調
v 肖特基熱場發射電子束源，加速電壓≥50kv，束電流范圍至少為50pA~40nA，束電流≥40nA
v 圖像發生器掃描頻率≥50MHz，20bit分辨率，最小步距為0.5nm
v 通用樣品架可承載散片，4inch以下的襯底，4inch專用晶圓專用樣品架，6inch專用晶圓專用樣品架，多樣品專用樣品架
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納米壓印系統
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