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聚焦離子束系統FIB

簡要描述:vFIB是將離子源產生的離子束經過離子槍加速

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更新時間

2024-10-22

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339
詳細介紹

v FIB是將離子源產生的離子束經過離子槍加速聚焦后作用于樣品表面,應用于:產生二次電子信號取得電子像,此功能與SEM相似,用強電流離子束對表面原子進行剝離,以完成微、納米級表面形貌加工,通常是以物理濺射的方式搭配化學氣體反應,有選擇性的剝除金屬,氧化硅層或沉積金屬層

v 芯片領域應用:IC芯片電路修改,Cross-Section 截面分析,FIB透射電鏡樣品制備,材料鑒定

v 液態金屬離子源:分辨率3nm@30kv   120nm@1kv

v 檢測器:Inlens SEInlens EsBVPSE(可變氣壓二次電子探測器)SESI(二次電子二次離子探測器)、aSTEM(掃描透射電子探測器)、aBSD(背散射探測器)


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